神速，三星芯片一步跃进10纳米工艺
讯2月25日信息，几周前三星揭露将会领先量产使用14nm FinFET工艺的挪动使用处分器，这款八核的Exynos 7420处分器将会用在三星Galaxy S6和Galaxy S6 Edge新款旗舰中。现在三星已正式推出了10nm FinFET挪动处分器制造工艺，三星在Frisco的ISSCC上揭露了这个信息。
固然10nm FinFET芯片的制造要过一段时间（大概两年后）才会启动，但是看上去三星Galaxy S6和iPhone6s的继任者有望用上这个加倍节能的10nm芯片。三星显露，这个希望是物联网装备进化过程当中的一猛进步，这些装备部件的大小和效率非常紧张，分外是对那些紧凑的可穿着装备而言。
同时10nm工艺也会使用于DRAM和NAND芯片中，这样一样大小的区域能够提供更大容量的存储空间。三星现在已渐渐成为苹果和LG等公司紧张的DDR4提供商，看上去三星会在挪动半导体平台发挥非常紧张的好处。（via：）
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