西部数据 / 铠侠今年量产 162 层第六代 BiCS 闪存，预计 10 年内达到 500 层
5 月 16 日信息，据 TechPowerUp 信息，西部数据与铠侠同盟，将在2019量产第六代 BiCS NAND，该产品接纳了162 层 NAND 闪存堆叠技术。
据说明，西部数据与铠侠的 162 层 NAND 闪存将到达角逐对手 176 层的容量，并且芯片尺寸更小，单晶圆可达 100TB，比上一代的单晶圆 70TB 大幅增长。
西部数据与铠侠还发布了未来的门路图，2024 年的 BiCS+ 的层数超过 200 层，若全部按决策举行，2032 年应当会看到 500 层 NAND 闪存。
中文国外曾报道，2020 年，西部数据公司和铠侠公司发布了第五代 BiCS 3D NAND，BiCS5 的设计应用了 112 层设计，密度比拟上代增长了 40%。接口速度进步了 50%，到达 1.2GT / s。第六代 BiCS NAND 的参数信息估计会在2019晚些时候量产时发布。
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